Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FQAF13N80

FQAF13N80

MOSFET N-CH 800V 8A TO-3PF
Číslo dílu
FQAF13N80
Výrobce/značka
Série
QFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
SC-94
Dodavatelský balíček zařízení
TO-3PF
Ztráta energie (max.)
120W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
800V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
750 mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
88nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3500pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 49625 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova FQAF13N80
FQAF13N80 Elektronické komponenty
FQAF13N80 Odbyt
FQAF13N80 Dodavatel
FQAF13N80 Distributor
FQAF13N80 Datová tabulka
FQAF13N80 Fotky
FQAF13N80 Cena
FQAF13N80 Nabídka
FQAF13N80 Nejnižší cena
FQAF13N80 Vyhledávání
FQAF13N80 Nákup
FQAF13N80 Chip