Koupit ON Semiconductor FDT86246 MOSFET N-CH 150V 2A SOT-223

Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.

DataSheets

FDT86246

MOSFET N-CH 150V 2A SOT-223

Číslo dílu

FDT86246

Výrobce/značka

ON Semiconductor

Série

PowerTrench®

Stav sekce

Active

Obal

Cut Tape (CT)

Technika

MOSFET (Metal Oxide)

Provozní teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balíček/pouzdro

TO-261-4, TO-261AA

Dodavatelský balíček zařízení

SOT-223-4

Ztráta energie (max.)

2.2W (Ta)

Typ FET

N-Channel

Funkce FET

Odvod ke zdroji napětí (Vdss)

150V

Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C

2A (Ta)

Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs

236 mOhm @ 2A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs

4nC @ 10V

Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

215pF @ 75V

Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)

6V, 10V

VGS (max.)

±20V

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.

Na skladě 6573 PCS

Kontaktní informace

Související produkty

FDT86102LZ

MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT-223

ON Semiconductor

FDT86102LZ

MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT-223

ON Semiconductor

FDT86102LZ

MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT-223

ON Semiconductor

FDT86102LZ

MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT-223

ON Semiconductor

FDT86102LZ

MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT-223

ON Semiconductor

FDT86102LZ

MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT-223

ON Semiconductor

FDT86102LZ

MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT-223

ON Semiconductor

FDT86102LZ

MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT-223

ON Semiconductor

FDT86102LZ

MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT-223

ON Semiconductor

FDT86106LZ