FDS8882
MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC
Číslo dílu
FDS8882
Výrobce/značka
Série
PowerTrench®
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
9A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
20 mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
940pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 47567 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FDS8882
FDS8882 Elektronické komponenty
FDS8882 Odbyt
FDS8882 Dodavatel
FDS8882 Distributor
FDS8882 Datová tabulka
FDS8882 Fotky
FDS8882 Cena
FDS8882 Nabídka
FDS8882 Nejnižší cena
FDS8882 Vyhledávání
FDS8882 Nákup
FDS8882 Chip