FDS86267P
MOSFET P-CH 150V
Číslo dílu
FDS86267P
Výrobce/značka
Série
PowerTrench®
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
1W (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
150V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
2.2A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
255 mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
16nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1130pF @ 75V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
VGS (max.)
±25V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 47390 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FDS86267P
FDS86267P Elektronické komponenty
FDS86267P Odbyt
FDS86267P Dodavatel
FDS86267P Distributor
FDS86267P Datová tabulka
FDS86267P Fotky
FDS86267P Cena
FDS86267P Nabídka
FDS86267P Nejnižší cena
FDS86267P Vyhledávání
FDS86267P Nákup
FDS86267P Chip