FDS86140
MOSFET N-CH 100V 11.2A 8SOIC
Číslo dílu
FDS86140
Výrobce/značka
Série
PowerTrench®
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta), 5W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
11.2A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
9.8 mOhm @ 11.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
41nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2580pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 50091 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FDS86140
FDS86140 Elektronické komponenty
FDS86140 Odbyt
FDS86140 Dodavatel
FDS86140 Distributor
FDS86140 Datová tabulka
FDS86140 Fotky
FDS86140 Cena
FDS86140 Nabídka
FDS86140 Nejnižší cena
FDS86140 Vyhledávání
FDS86140 Nákup
FDS86140 Chip