FDS6692A
MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC
Číslo dílu
FDS6692A
Výrobce/značka
Série
PowerTrench®
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
1.47W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
9A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
11.5 mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
29nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1610pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 8609 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FDS6692A
FDS6692A Elektronické komponenty
FDS6692A Odbyt
FDS6692A Dodavatel
FDS6692A Distributor
FDS6692A Datová tabulka
FDS6692A Fotky
FDS6692A Cena
FDS6692A Nabídka
FDS6692A Nejnižší cena
FDS6692A Vyhledávání
FDS6692A Nákup
FDS6692A Chip