FDS6612A
MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-SOIC
Číslo dílu
FDS6612A
Výrobce/značka
Série
PowerTrench®
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
8.4A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
22 mOhm @ 8.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
7.6nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
560pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 6736 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FDS6612A
FDS6612A Elektronické komponenty
FDS6612A Odbyt
FDS6612A Dodavatel
FDS6612A Distributor
FDS6612A Datová tabulka
FDS6612A Fotky
FDS6612A Cena
FDS6612A Nabídka
FDS6612A Nejnižší cena
FDS6612A Vyhledávání
FDS6612A Nákup
FDS6612A Chip