FDS6162N7
MOSFET N-CH 20V 23A 8-SOIC
Číslo dílu
FDS6162N7
Výrobce/značka
Série
PowerTrench®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
3W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
23A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
3.5 mOhm @ 23A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
73nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
5521pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 4.5V
VGS (max.)
±12V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 36135 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FDS6162N7
FDS6162N7 Elektronické komponenty
FDS6162N7 Odbyt
FDS6162N7 Dodavatel
FDS6162N7 Distributor
FDS6162N7 Datová tabulka
FDS6162N7 Fotky
FDS6162N7 Cena
FDS6162N7 Nabídka
FDS6162N7 Nejnižší cena
FDS6162N7 Vyhledávání
FDS6162N7 Nákup
FDS6162N7 Chip