Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FDS6162N3
MOSFET N-CH 20V 21A 8-SOIC
Číslo dílu
FDS6162N3
Výrobce/značka
Série
PowerTrench®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
3W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
21A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4.5 mOhm @ 21A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
73nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
5521pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 4.5V
VGS (max.)
±12V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 33066 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FDS6162N3
FDS6162N3 Elektronické komponenty
FDS6162N3 Odbyt
FDS6162N3 Dodavatel
FDS6162N3 Distributor
FDS6162N3 Datová tabulka
FDS6162N3 Fotky
FDS6162N3 Cena
FDS6162N3 Nabídka
FDS6162N3 Nejnižší cena
FDS6162N3 Vyhledávání
FDS6162N3 Nákup
FDS6162N3 Chip