Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FDS4435BZ
MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC
Číslo dílu
FDS4435BZ
Výrobce/značka
Série
PowerTrench®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
8.8A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
20 mOhm @ 8.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
40nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1845pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±25V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 27329 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FDS4435BZ
FDS4435BZ Elektronické komponenty
FDS4435BZ Odbyt
FDS4435BZ Dodavatel
FDS4435BZ Distributor
FDS4435BZ Datová tabulka
FDS4435BZ Fotky
FDS4435BZ Cena
FDS4435BZ Nabídka
FDS4435BZ Nejnižší cena
FDS4435BZ Vyhledávání
FDS4435BZ Nákup
FDS4435BZ Chip