FDN357N
MOSFET N-CH 30V 1.9A SSOT3
Číslo dílu
FDN357N
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Dodavatelský balíček zařízení
SuperSOT-3
Ztráta energie (max.)
500mW (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
1.9A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
60 mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
5.9nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
235pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 14068 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FDN357N
FDN357N Elektronické komponenty
FDN357N Odbyt
FDN357N Dodavatel
FDN357N Distributor
FDN357N Datová tabulka
FDN357N Fotky
FDN357N Cena
FDN357N Nabídka
FDN357N Nejnižší cena
FDN357N Vyhledávání
FDN357N Nákup
FDN357N Chip