Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FDN339AN_G
MOSFET N-CH
Číslo dílu
FDN339AN_G
Výrobce/značka
Série
PowerTrench®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Dodavatelský balíček zařízení
SuperSOT-3
Ztráta energie (max.)
500mW (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
3A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
35 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
700pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 4.5V
VGS (max.)
±8V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 11622 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FDN339AN_G
FDN339AN_G Elektronické komponenty
FDN339AN_G Odbyt
FDN339AN_G Dodavatel
FDN339AN_G Distributor
FDN339AN_G Datová tabulka
FDN339AN_G Fotky
FDN339AN_G Cena
FDN339AN_G Nabídka
FDN339AN_G Nejnižší cena
FDN339AN_G Vyhledávání
FDN339AN_G Nákup
FDN339AN_G Chip