FDMS4D0N12C
PTNG 120V N-FET PQFN56
Číslo dílu
FDMS4D0N12C
Výrobce/značka
Série
PowerTrench®
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerVDFN
Dodavatelský balíček zařízení
8-PQFN (5x6)
Ztráta energie (max.)
2.7W (Ta), 106W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
120V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
18.5A (Ta), 114A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4 mOhm @ 67A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 370A
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
82nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
6460pF @ 60V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 21040 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FDMS4D0N12C
FDMS4D0N12C Elektronické komponenty
FDMS4D0N12C Odbyt
FDMS4D0N12C Dodavatel
FDMS4D0N12C Distributor
FDMS4D0N12C Datová tabulka
FDMS4D0N12C Fotky
FDMS4D0N12C Cena
FDMS4D0N12C Nabídka
FDMS4D0N12C Nejnižší cena
FDMS4D0N12C Vyhledávání
FDMS4D0N12C Nákup
FDMS4D0N12C Chip