Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FDMS2D4N03S
MOSFET N-CH 30V 163A 8PQFN
Číslo dílu
FDMS2D4N03S
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
-
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerSMD, Flat Leads
Dodavatelský balíček zařízení
8-PQFN (5x6), Power56
Ztráta energie (max.)
75W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
163A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.8 mOhm @ 28A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
88nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
6540pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 20390 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FDMS2D4N03S
FDMS2D4N03S Elektronické komponenty
FDMS2D4N03S Odbyt
FDMS2D4N03S Dodavatel
FDMS2D4N03S Distributor
FDMS2D4N03S Datová tabulka
FDMS2D4N03S Fotky
FDMS2D4N03S Cena
FDMS2D4N03S Nabídka
FDMS2D4N03S Nejnižší cena
FDMS2D4N03S Vyhledávání
FDMS2D4N03S Nákup
FDMS2D4N03S Chip