FDMS10C4D2N
MOSFET N-CH 100V 17A 8PQFN
Číslo dílu
FDMS10C4D2N
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerSMD, Flat Leads
Dodavatelský balíček zařízení
8-PQFN (5x6), Power56
Ztráta energie (max.)
125W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4.2 mOhm @ 44A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
65nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4500pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 42910 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FDMS10C4D2N
FDMS10C4D2N Elektronické komponenty
FDMS10C4D2N Odbyt
FDMS10C4D2N Dodavatel
FDMS10C4D2N Distributor
FDMS10C4D2N Datová tabulka
FDMS10C4D2N Fotky
FDMS10C4D2N Cena
FDMS10C4D2N Nabídka
FDMS10C4D2N Nejnižší cena
FDMS10C4D2N Vyhledávání
FDMS10C4D2N Nákup
FDMS10C4D2N Chip