Koupit ON Semiconductor FDME820NZT MOSFET N-CH 20V 9A MICROFET 1.6

Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.

DataSheets

FDME820NZT

MOSFET N-CH 20V 9A MICROFET 1.6

Číslo dílu

FDME820NZT

Výrobce/značka

ON Semiconductor

Série

PowerTrench®

Stav sekce

Active

Obal

Cut Tape (CT)

Technika

MOSFET (Metal Oxide)

Provozní teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balíček/pouzdro

6-PowerUFDFN

Dodavatelský balíček zařízení

MicroFet 1.6x1.6 Thin

Ztráta energie (max.)

2.1W (Ta)

Typ FET

N-Channel

Funkce FET

Odvod ke zdroji napětí (Vdss)

20V

Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C

9A (Ta)

Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs

18 mOhm @ 9A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs

8.5nC @ 4.5V

Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

865pF @ 10V

Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)

1.8V, 4.5V

VGS (max.)

±12V

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.

Na skladě 54806 PCS

Kontaktní informace

Související produkty