FDMC2610
MOSFET N-CH 200V 2.2A POWER33-8
Číslo dílu
FDMC2610
Výrobce/značka
Série
UniFET™
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerWDFN
Dodavatelský balíček zařízení
8-MLP (3.3x3.3)
Ztráta energie (max.)
2.1W (Ta), 42W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
2.2A (Ta), 9.5A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
200 mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
960pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 27050 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FDMC2610
FDMC2610 Elektronické komponenty
FDMC2610 Odbyt
FDMC2610 Dodavatel
FDMC2610 Distributor
FDMC2610 Datová tabulka
FDMC2610 Fotky
FDMC2610 Cena
FDMC2610 Nabídka
FDMC2610 Nejnižší cena
FDMC2610 Vyhledávání
FDMC2610 Nákup
FDMC2610 Chip