Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FDFMA3N109

FDFMA3N109

MOSFET N-CH 30V 2.9A MICRO2X2
Číslo dílu
FDFMA3N109
Výrobce/značka
Série
PowerTrench®
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
6-VDFN Exposed Pad
Dodavatelský balíček zařízení
6-MicroFET (2x2)
Ztráta energie (max.)
1.5W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
Schottky Diode (Isolated)
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
2.9A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
123 mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
3nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
220pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 4.5V
VGS (max.)
±12V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 21125 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova FDFMA3N109
FDFMA3N109 Elektronické komponenty
FDFMA3N109 Odbyt
FDFMA3N109 Dodavatel
FDFMA3N109 Distributor
FDFMA3N109 Datová tabulka
FDFMA3N109 Fotky
FDFMA3N109 Cena
FDFMA3N109 Nabídka
FDFMA3N109 Nejnižší cena
FDFMA3N109 Vyhledávání
FDFMA3N109 Nákup
FDFMA3N109 Chip