Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FDFMA2P859T

FDFMA2P859T

MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET
Číslo dílu
FDFMA2P859T
Výrobce/značka
Série
PowerTrench®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
6-UDFN Exposed Pad
Dodavatelský balíček zařízení
MicroFET 2x2 Thin
Ztráta energie (max.)
1.4W (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
Schottky Diode (Isolated)
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
3A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
120 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.3V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
6nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
435pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.8V, 4.5V
VGS (max.)
±8V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 44467 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova FDFMA2P859T
FDFMA2P859T Elektronické komponenty
FDFMA2P859T Odbyt
FDFMA2P859T Dodavatel
FDFMA2P859T Distributor
FDFMA2P859T Datová tabulka
FDFMA2P859T Fotky
FDFMA2P859T Cena
FDFMA2P859T Nabídka
FDFMA2P859T Nejnižší cena
FDFMA2P859T Vyhledávání
FDFMA2P859T Nákup
FDFMA2P859T Chip