Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FDD86367

FDD86367

MOSFET N-CHANNEL 80V 100A TO252
Číslo dílu
FDD86367
Výrobce/značka
Série
Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
TO-252, (D-Pak)
Ztráta energie (max.)
227W (Tj)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
80V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4.2 mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
88nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4840pF @ 40V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 17071 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova FDD86367
FDD86367 Elektronické komponenty
FDD86367 Odbyt
FDD86367 Dodavatel
FDD86367 Distributor
FDD86367 Datová tabulka
FDD86367 Fotky
FDD86367 Cena
FDD86367 Nabídka
FDD86367 Nejnižší cena
FDD86367 Vyhledávání
FDD86367 Nákup
FDD86367 Chip