Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FDD8586

FDD8586

MOSFET N-CH 20V 35A DPAK
Číslo dílu
FDD8586
Výrobce/značka
Série
PowerTrench®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
TO-252AA
Ztráta energie (max.)
77W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
5.5 mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
48nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2480pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 42890 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova FDD8586
FDD8586 Elektronické komponenty
FDD8586 Odbyt
FDD8586 Dodavatel
FDD8586 Distributor
FDD8586 Datová tabulka
FDD8586 Fotky
FDD8586 Cena
FDD8586 Nabídka
FDD8586 Nejnižší cena
FDD8586 Vyhledávání
FDD8586 Nákup
FDD8586 Chip