Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FDD850N10LD

FDD850N10LD

MOSFET N-CH 100V 15.3A DPAK
Číslo dílu
FDD850N10LD
Výrobce/značka
Série
PowerTrench®
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Dodavatelský balíček zařízení
TO-252-5
Ztráta energie (max.)
42W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
15.3A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
75 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
28.9nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1465pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 30944 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova FDD850N10LD
FDD850N10LD Elektronické komponenty
FDD850N10LD Odbyt
FDD850N10LD Dodavatel
FDD850N10LD Distributor
FDD850N10LD Datová tabulka
FDD850N10LD Fotky
FDD850N10LD Cena
FDD850N10LD Nabídka
FDD850N10LD Nejnižší cena
FDD850N10LD Vyhledávání
FDD850N10LD Nákup
FDD850N10LD Chip