Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FDD850N10L

FDD850N10L

MOSFET N-CH 100V 15.7A DPAK-3
Číslo dílu
FDD850N10L
Výrobce/značka
Série
PowerTrench®
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
DPAK
Ztráta energie (max.)
50W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
15.7A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
75 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
28.9nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1465pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 24838 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova FDD850N10L
FDD850N10L Elektronické komponenty
FDD850N10L Odbyt
FDD850N10L Dodavatel
FDD850N10L Distributor
FDD850N10L Datová tabulka
FDD850N10L Fotky
FDD850N10L Cena
FDD850N10L Nabídka
FDD850N10L Nejnižší cena
FDD850N10L Vyhledávání
FDD850N10L Nákup
FDD850N10L Chip