FDD6N50TM
MOSFET N-CH 500V 6A DPAK
Číslo dílu
FDD6N50TM
Výrobce/značka
Série
UniFET™
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
89W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
500V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
900 mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
16.6nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
9400pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 16992 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FDD6N50TM
FDD6N50TM Elektronické komponenty
FDD6N50TM Odbyt
FDD6N50TM Dodavatel
FDD6N50TM Distributor
FDD6N50TM Datová tabulka
FDD6N50TM Fotky
FDD6N50TM Cena
FDD6N50TM Nabídka
FDD6N50TM Nejnižší cena
FDD6N50TM Vyhledávání
FDD6N50TM Nákup
FDD6N50TM Chip