FDD6N20TM
MOSFET N-CH 200V 4.5A DPAK
Číslo dílu
FDD6N20TM
Výrobce/značka
Série
UniFET™
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
40W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
4.5A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
800 mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
6.1nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
230pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 53732 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FDD6N20TM
FDD6N20TM Elektronické komponenty
FDD6N20TM Odbyt
FDD6N20TM Dodavatel
FDD6N20TM Distributor
FDD6N20TM Datová tabulka
FDD6N20TM Fotky
FDD6N20TM Cena
FDD6N20TM Nabídka
FDD6N20TM Nejnižší cena
FDD6N20TM Vyhledávání
FDD6N20TM Nákup
FDD6N20TM Chip