Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FDD6612A
MOSFET N-CH 30V 9.5A DPAK
Číslo dílu
FDD6612A
Výrobce/značka
Série
PowerTrench®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-PAK (TO-252)
Ztráta energie (max.)
2.8W (Ta), 36W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
9.5A (Ta), 30A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
20 mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
9.4nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
660pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 10136 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FDD6612A
FDD6612A Elektronické komponenty
FDD6612A Odbyt
FDD6612A Dodavatel
FDD6612A Distributor
FDD6612A Datová tabulka
FDD6612A Fotky
FDD6612A Cena
FDD6612A Nabídka
FDD6612A Nejnižší cena
FDD6612A Vyhledávání
FDD6612A Nákup
FDD6612A Chip