FDD3860
MOSFET N-CH 100V 6.2A DPAK
Číslo dílu
FDD3860
Výrobce/značka
Série
PowerTrench®
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-PAK (TO-252AA)
Ztráta energie (max.)
3.1W (Ta), 69W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
6.2A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
36 mOhm @ 5.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
31nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1740pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 30083 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FDD3860
FDD3860 Elektronické komponenty
FDD3860 Odbyt
FDD3860 Dodavatel
FDD3860 Distributor
FDD3860 Datová tabulka
FDD3860 Fotky
FDD3860 Cena
FDD3860 Nabídka
FDD3860 Nejnižší cena
FDD3860 Vyhledávání
FDD3860 Nákup
FDD3860 Chip