Koupit ON Semiconductor FDC8886 MOSFET N-CH 30V 6.5A 6-SSOT

Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.

DataSheets

FDC8886

MOSFET N-CH 30V 6.5A 6-SSOT

Číslo dílu

FDC8886

Výrobce/značka

ON Semiconductor

Série

PowerTrench®

Stav sekce

Active

Obal

Cut Tape (CT)

Technika

MOSFET (Metal Oxide)

Provozní teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balíček/pouzdro

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Dodavatelský balíček zařízení

6-SSOT

Ztráta energie (max.)

1.6W (Ta)

Typ FET

N-Channel

Funkce FET

Odvod ke zdroji napětí (Vdss)

30V

Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C

6.5A (Ta), 8A (Tc)

Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs

23 mOhm @ 6.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs

7.4nC @ 10V

Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

465pF @ 15V

Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)

4.5V, 10V

VGS (max.)

±20V

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.

Na skladě 50536 PCS

Kontaktní informace

Související produkty

FDC855N

MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-SSOT

ON Semiconductor

FDC855N

MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-SSOT

ON Semiconductor

FDC855N

MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-SSOT

ON Semiconductor

FDC855N

MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-SSOT

ON Semiconductor

FDC855N

MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-SSOT

ON Semiconductor

FDC855N

MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-SSOT

ON Semiconductor

FDC855N

MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-SSOT

ON Semiconductor

FDC855N

MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-SSOT

ON Semiconductor

FDC855N

MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-SSOT

ON Semiconductor

FDC8601