FDC658P
MOSFET P-CH 30V 4A SSOT-6
Číslo dílu
FDC658P
Výrobce/značka
Série
PowerTrench®
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Dodavatelský balíček zařízení
SuperSOT™-6
Ztráta energie (max.)
1.6W (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
4A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
50 mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
750pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 7670 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FDC658P
FDC658P Elektronické komponenty
FDC658P Odbyt
FDC658P Dodavatel
FDC658P Distributor
FDC658P Datová tabulka
FDC658P Fotky
FDC658P Cena
FDC658P Nabídka
FDC658P Nejnižší cena
FDC658P Vyhledávání
FDC658P Nákup
FDC658P Chip