Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FDC658AP
MOSFET P-CH 30V 4A SSOT6
Číslo dílu
FDC658AP
Výrobce/značka
Série
PowerTrench®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Dodavatelský balíček zařízení
SuperSOT™-6
Ztráta energie (max.)
1.6W (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
4A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
50 mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
8.1nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
470pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±25V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 37208 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FDC658AP
FDC658AP Elektronické komponenty
FDC658AP Odbyt
FDC658AP Dodavatel
FDC658AP Distributor
FDC658AP Datová tabulka
FDC658AP Fotky
FDC658AP Cena
FDC658AP Nabídka
FDC658AP Nejnižší cena
FDC658AP Vyhledávání
FDC658AP Nákup
FDC658AP Chip