FDC638P
MOSFET P-CH 20V 4.5A SSOT-6
Číslo dílu
FDC638P
Výrobce/značka
Série
PowerTrench®
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Dodavatelský balíček zařízení
SuperSOT™-6
Ztráta energie (max.)
1.6W (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
4.5A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
48 mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1160pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 4.5V
VGS (max.)
±8V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 26505 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FDC638P
FDC638P Elektronické komponenty
FDC638P Odbyt
FDC638P Dodavatel
FDC638P Distributor
FDC638P Datová tabulka
FDC638P Fotky
FDC638P Cena
FDC638P Nabídka
FDC638P Nejnižší cena
FDC638P Vyhledávání
FDC638P Nákup
FDC638P Chip