FDC637BNZ
MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-SSOT
Číslo dílu
FDC637BNZ
Výrobce/značka
Série
PowerTrench®
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Dodavatelský balíček zařízení
SuperSOT™-6
Ztráta energie (max.)
1.6W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
6.2A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
24 mOhm @ 6.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
895pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 4.5V
VGS (max.)
±12V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 16380 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FDC637BNZ
FDC637BNZ Elektronické komponenty
FDC637BNZ Odbyt
FDC637BNZ Dodavatel
FDC637BNZ Distributor
FDC637BNZ Datová tabulka
FDC637BNZ Fotky
FDC637BNZ Cena
FDC637BNZ Nabídka
FDC637BNZ Nejnižší cena
FDC637BNZ Vyhledávání
FDC637BNZ Nákup
FDC637BNZ Chip