FDB16AN08A0
MOSFET N-CH 75V 58A TO-263AB
Číslo dílu
FDB16AN08A0
Výrobce/značka
Série
PowerTrench®
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D²PAK
Ztráta energie (max.)
135W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
75V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
9A (Ta), 58A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
16 mOhm @ 58A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
42nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1857pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 31948 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FDB16AN08A0
FDB16AN08A0 Elektronické komponenty
FDB16AN08A0 Odbyt
FDB16AN08A0 Dodavatel
FDB16AN08A0 Distributor
FDB16AN08A0 Datová tabulka
FDB16AN08A0 Fotky
FDB16AN08A0 Cena
FDB16AN08A0 Nabídka
FDB16AN08A0 Nejnižší cena
FDB16AN08A0 Vyhledávání
FDB16AN08A0 Nákup
FDB16AN08A0 Chip