FDB15N50
MOSFET N-CH 500V 15A TO-263AB
Číslo dílu
FDB15N50
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D²PAK
Ztráta energie (max.)
300W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
500V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
15A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
380 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
41nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1850pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 5752 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FDB15N50
FDB15N50 Elektronické komponenty
FDB15N50 Odbyt
FDB15N50 Dodavatel
FDB15N50 Distributor
FDB15N50 Datová tabulka
FDB15N50 Fotky
FDB15N50 Cena
FDB15N50 Nabídka
FDB15N50 Nejnižší cena
FDB15N50 Vyhledávání
FDB15N50 Nákup
FDB15N50 Chip