Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FDB150N10
MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
Číslo dílu
FDB150N10
Výrobce/značka
Série
PowerTrench®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D²PAK
Ztráta energie (max.)
110W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
57A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
15 mOhm @ 49A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
69nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4760pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 46253 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FDB150N10
FDB150N10 Elektronické komponenty
FDB150N10 Odbyt
FDB150N10 Dodavatel
FDB150N10 Distributor
FDB150N10 Datová tabulka
FDB150N10 Fotky
FDB150N10 Cena
FDB150N10 Nabídka
FDB150N10 Nejnižší cena
FDB150N10 Vyhledávání
FDB150N10 Nákup
FDB150N10 Chip