FDB14N30TM
MOSFET N-CH 300V 14A D2PAK
Číslo dílu
FDB14N30TM
Výrobce/značka
Série
UniFET™
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D²PAK
Ztráta energie (max.)
140W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
300V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
14A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
290 mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1060pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 23930 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FDB14N30TM
FDB14N30TM Elektronické komponenty
FDB14N30TM Odbyt
FDB14N30TM Dodavatel
FDB14N30TM Distributor
FDB14N30TM Datová tabulka
FDB14N30TM Fotky
FDB14N30TM Cena
FDB14N30TM Nabídka
FDB14N30TM Nejnižší cena
FDB14N30TM Vyhledávání
FDB14N30TM Nákup
FDB14N30TM Chip