FDB12N50TM
MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
Číslo dílu
FDB12N50TM
Výrobce/značka
Série
UniFET™
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D²PAK
Ztráta energie (max.)
165W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
500V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
11.5A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
650 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1315pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 47697 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FDB12N50TM
FDB12N50TM Elektronické komponenty
FDB12N50TM Odbyt
FDB12N50TM Dodavatel
FDB12N50TM Distributor
FDB12N50TM Datová tabulka
FDB12N50TM Fotky
FDB12N50TM Cena
FDB12N50TM Nabídka
FDB12N50TM Nejnižší cena
FDB12N50TM Vyhledávání
FDB12N50TM Nákup
FDB12N50TM Chip