Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FDB047N10
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Číslo dílu
FDB047N10
Výrobce/značka
Série
PowerTrench®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D²PAK
Ztráta energie (max.)
375W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4.7 mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
210nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
15265pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 23105 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FDB047N10
FDB047N10 Elektronické komponenty
FDB047N10 Odbyt
FDB047N10 Dodavatel
FDB047N10 Distributor
FDB047N10 Datová tabulka
FDB047N10 Fotky
FDB047N10 Cena
FDB047N10 Nabídka
FDB047N10 Nejnižší cena
FDB047N10 Vyhledávání
FDB047N10 Nákup
FDB047N10 Chip