FDB0260N1007L
MOSFET N-CH 100V 200A D2PAK
Číslo dílu
FDB0260N1007L
Výrobce/značka
Série
PowerTrench®
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Dodavatelský balíček zařízení
D²PAK (TO-263)
Ztráta energie (max.)
3.8W (Ta), 250W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
200A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2.6 mOhm @ 27A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
118nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
8545pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 51204 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FDB0260N1007L
FDB0260N1007L Elektronické komponenty
FDB0260N1007L Odbyt
FDB0260N1007L Dodavatel
FDB0260N1007L Distributor
FDB0260N1007L Datová tabulka
FDB0260N1007L Fotky
FDB0260N1007L Cena
FDB0260N1007L Nabídka
FDB0260N1007L Nejnižší cena
FDB0260N1007L Vyhledávání
FDB0260N1007L Nákup
FDB0260N1007L Chip