FDB024N08BL7
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK7
Číslo dílu
FDB024N08BL7
Výrobce/značka
Série
PowerTrench®
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Dodavatelský balíček zařízení
D²PAK (TO-263)
Ztráta energie (max.)
246W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
80V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2.4 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
178nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
13530pF @ 40V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 29607 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FDB024N08BL7
FDB024N08BL7 Elektronické komponenty
FDB024N08BL7 Odbyt
FDB024N08BL7 Dodavatel
FDB024N08BL7 Distributor
FDB024N08BL7 Datová tabulka
FDB024N08BL7 Fotky
FDB024N08BL7 Cena
FDB024N08BL7 Nabídka
FDB024N08BL7 Nejnižší cena
FDB024N08BL7 Vyhledávání
FDB024N08BL7 Nákup
FDB024N08BL7 Chip