Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FDA16N50LDTU
UNIFET N-CHANNEL 500V MOSFET LDT
Číslo dílu
FDA16N50LDTU
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-3P-3, SC-65-3 (Formed Leads)
Dodavatelský balíček zařízení
TO-3PN (L-Forming)
Ztráta energie (max.)
205W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
500V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
16.5A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
380 mOhm @ 8.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
45nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1945pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 50978 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FDA16N50LDTU
FDA16N50LDTU Elektronické komponenty
FDA16N50LDTU Odbyt
FDA16N50LDTU Dodavatel
FDA16N50LDTU Distributor
FDA16N50LDTU Datová tabulka
FDA16N50LDTU Fotky
FDA16N50LDTU Cena
FDA16N50LDTU Nabídka
FDA16N50LDTU Nejnižší cena
FDA16N50LDTU Vyhledávání
FDA16N50LDTU Nákup
FDA16N50LDTU Chip