Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
BSS123LT1G
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
Číslo dílu
BSS123LT1G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Dodavatelský balíček zařízení
SOT-23-3 (TO-236)
Ztráta energie (max.)
225mW (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
170mA (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
6 Ohm @ 100mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
-
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
20pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 52474 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova BSS123LT1G
BSS123LT1G Elektronické komponenty
BSS123LT1G Odbyt
BSS123LT1G Dodavatel
BSS123LT1G Distributor
BSS123LT1G Datová tabulka
BSS123LT1G Fotky
BSS123LT1G Cena
BSS123LT1G Nabídka
BSS123LT1G Nejnižší cena
BSS123LT1G Vyhledávání
BSS123LT1G Nákup
BSS123LT1G Chip