Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
2N7002ET1G

2N7002ET1G

MOSFET N-CH 60V 260MA SOT-23
Číslo dílu
2N7002ET1G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Dodavatelský balíček zařízení
SOT-23-3 (TO-236)
Ztráta energie (max.)
300mW (Tj)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
260mA (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2.5 Ohm @ 240mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
0.81nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
26.7pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 7939 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova 2N7002ET1G
2N7002ET1G Elektronické komponenty
2N7002ET1G Odbyt
2N7002ET1G Dodavatel
2N7002ET1G Distributor
2N7002ET1G Datová tabulka
2N7002ET1G Fotky
2N7002ET1G Cena
2N7002ET1G Nabídka
2N7002ET1G Nejnižší cena
2N7002ET1G Vyhledávání
2N7002ET1G Nákup
2N7002ET1G Chip