Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
2N7000RLRMG

2N7000RLRMG

MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92
Číslo dílu
2N7000RLRMG
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Box (TB)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Dodavatelský balíček zařízení
TO-92-3
Ztráta energie (max.)
350mW (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
200mA (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
-
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
60pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 22961 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova 2N7000RLRMG
2N7000RLRMG Elektronické komponenty
2N7000RLRMG Odbyt
2N7000RLRMG Dodavatel
2N7000RLRMG Distributor
2N7000RLRMG Datová tabulka
2N7000RLRMG Fotky
2N7000RLRMG Cena
2N7000RLRMG Nabídka
2N7000RLRMG Nejnižší cena
2N7000RLRMG Vyhledávání
2N7000RLRMG Nákup
2N7000RLRMG Chip