Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
PSMN040-200W,127
MOSFET N-CH 200V 50A SOT429
Číslo dílu
PSMN040-200W,127
Výrobce/značka
Série
TrenchMOS™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-247-3
Ztráta energie (max.)
300W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
40 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
183nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
9530pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 14377 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova PSMN040-200W,127
PSMN040-200W,127 Elektronické komponenty
PSMN040-200W,127 Odbyt
PSMN040-200W,127 Dodavatel
PSMN040-200W,127 Distributor
PSMN040-200W,127 Datová tabulka
PSMN040-200W,127 Fotky
PSMN040-200W,127 Cena
PSMN040-200W,127 Nabídka
PSMN040-200W,127 Nejnižší cena
PSMN040-200W,127 Vyhledávání
PSMN040-200W,127 Nákup
PSMN040-200W,127 Chip