Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
PSMN8R0-80YLX
MOSFET N-CH 80V 100A LFPAK56
Číslo dílu
PSMN8R0-80YLX
Výrobce/značka
Série
TrenchMOS™
Stav sekce
Active
Obal
-
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
SC-100, SOT-669
Dodavatelský balíček zařízení
LFPAK56, Power-SO8
Ztráta energie (max.)
238W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
80V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
100A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
8 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
104nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
8167pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 26659 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova PSMN8R0-80YLX
PSMN8R0-80YLX Elektronické komponenty
PSMN8R0-80YLX Odbyt
PSMN8R0-80YLX Dodavatel
PSMN8R0-80YLX Distributor
PSMN8R0-80YLX Datová tabulka
PSMN8R0-80YLX Fotky
PSMN8R0-80YLX Cena
PSMN8R0-80YLX Nabídka
PSMN8R0-80YLX Nejnižší cena
PSMN8R0-80YLX Vyhledávání
PSMN8R0-80YLX Nákup
PSMN8R0-80YLX Chip