PMV65ENEAR
MOSFET N-CH 20V TO-236AB
Číslo dílu
PMV65ENEAR
Výrobce/značka
Série
Automotive, AEC-Q101
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-236AB (SOT23)
Ztráta energie (max.)
490mW (Ta), 6.25W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
40V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
2.7A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
75 mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
6nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
160pF @ 20V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 39653 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova PMV65ENEAR
PMV65ENEAR Elektronické komponenty
PMV65ENEAR Odbyt
PMV65ENEAR Dodavatel
PMV65ENEAR Distributor
PMV65ENEAR Datová tabulka
PMV65ENEAR Fotky
PMV65ENEAR Cena
PMV65ENEAR Nabídka
PMV65ENEAR Nejnižší cena
PMV65ENEAR Vyhledávání
PMV65ENEAR Nákup
PMV65ENEAR Chip