Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
PMV45EN2VL
MOSFET N-CH 30V 5.1A TO236AB
Číslo dílu
PMV45EN2VL
Výrobce/značka
Série
TrenchMOS™
Stav sekce
Active
Obal
-
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-236AB
Ztráta energie (max.)
510mW (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
5.1A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
42 mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
6.3nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
209pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 43774 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova PMV45EN2VL
PMV45EN2VL Elektronické komponenty
PMV45EN2VL Odbyt
PMV45EN2VL Dodavatel
PMV45EN2VL Distributor
PMV45EN2VL Datová tabulka
PMV45EN2VL Fotky
PMV45EN2VL Cena
PMV45EN2VL Nabídka
PMV45EN2VL Nejnižší cena
PMV45EN2VL Vyhledávání
PMV45EN2VL Nákup
PMV45EN2VL Chip