Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
JANTXV1N5809US
DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF
Číslo dílu
JANTXV1N5809US
Výrobce/značka
Série
Military, MIL-PRF-19500/477
Stav sekce
Active
Obal
Bulk
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
SQ-MELF, B
Dodavatelský balíček zařízení
B, SQ-MELF
Typ diody
Standard
Aktuální – Opravený průměr (Io)
3A
Napětí - Forward (Vf) (Max) @ If
875mV @ 4A
Proud - Reverzní únik @ Vr
5µA @ 100V
Napětí - Reverzní DC (Vr) (Max)
100V
Rychlost
Fast Recovery = 200mA (Io)
Reverzní doba zotavení (trr)
30ns
Provozní teplota - křižovatka
-65°C ~ 175°C
Kapacita @ Vr, F
60pF @ 10V, 1MHz
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 47098 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova JANTXV1N5809US
JANTXV1N5809US Elektronické komponenty
JANTXV1N5809US Odbyt
JANTXV1N5809US Dodavatel
JANTXV1N5809US Distributor
JANTXV1N5809US Datová tabulka
JANTXV1N5809US Fotky
JANTXV1N5809US Cena
JANTXV1N5809US Nabídka
JANTXV1N5809US Nejnižší cena
JANTXV1N5809US Vyhledávání
JANTXV1N5809US Nákup
JANTXV1N5809US Chip