Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
JAN1N5811US
DIODE GEN PURP 150V 6A B-MELF
Číslo dílu
JAN1N5811US
Výrobce/značka
Série
Military, MIL-PRF-19500/477
Stav sekce
Active
Obal
Bulk
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
SQ-MELF, B
Dodavatelský balíček zařízení
B, SQ-MELF
Typ diody
Standard
Aktuální – Opravený průměr (Io)
6A
Napětí - Forward (Vf) (Max) @ If
875mV @ 4A
Proud - Reverzní únik @ Vr
5µA @ 150V
Napětí - Reverzní DC (Vr) (Max)
150V
Rychlost
Fast Recovery = 200mA (Io)
Reverzní doba zotavení (trr)
30ns
Provozní teplota - křižovatka
-65°C ~ 175°C
Kapacita @ Vr, F
60pF @ 10V, 1MHz
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 44561 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova JAN1N5811US
JAN1N5811US Elektronické komponenty
JAN1N5811US Odbyt
JAN1N5811US Dodavatel
JAN1N5811US Distributor
JAN1N5811US Datová tabulka
JAN1N5811US Fotky
JAN1N5811US Cena
JAN1N5811US Nabídka
JAN1N5811US Nejnižší cena
JAN1N5811US Vyhledávání
JAN1N5811US Nákup
JAN1N5811US Chip